基于負(fù)偏壓收集極的絕緣體二次電子發(fā)射系數(shù)測(cè)量

2014-12-19 翁明 西安交通大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系

  建立了一個(gè)主要由單把脈沖電子槍和一個(gè)二次電子收集極構(gòu)成的測(cè)量裝置用于室溫下絕緣體二次電子發(fā)射系數(shù)的測(cè)量。通過(guò)給收集極設(shè)定負(fù)偏壓,本文提出了一種新的電荷中和方法,有效地中和了在測(cè)量過(guò)程中累積在樣品表面的電荷。采用雙通道示波器對(duì)二次電子電流和樣品電流進(jìn)行了測(cè)量,根據(jù)相應(yīng)脈沖電流的峰值確定了樣品的二次電子發(fā)射系數(shù)。成功測(cè)量了尼龍樣品的二次電子發(fā)射系數(shù)與一次電子能量的關(guān)系曲線,并與文獻(xiàn)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行了比較,結(jié)果表明本文的測(cè)量裝置和測(cè)量方法簡(jiǎn)單易行。

  隨著微波技術(shù)的發(fā)展,越來(lái)越多的研究表明,降低材料的二次電子發(fā)射系數(shù)δ 對(duì)于提升微波管的效率、抑制微波器件中電子倍增擊穿和介質(zhì)窗擊穿有重要的作用,因此開(kāi)展δ 的測(cè)量研究十分必要。

  一般而言,導(dǎo)體的δ 容易測(cè)量,而絕緣體較難。測(cè)量絕緣體δ 的關(guān)鍵是如何消除樣品表面累積的電荷或減弱樣品帶電的程度。使用一把脈沖電子槍對(duì)δ 進(jìn)行測(cè)量,而另一把直流電子槍對(duì)測(cè)量過(guò)程中樣品所帶的正電荷進(jìn)行中和是目前通常的測(cè)量方法。此外,其它方法也有報(bào)道。文獻(xiàn)采用電荷補(bǔ)償原理,對(duì)樣品表面累積的電荷進(jìn)行中和,同時(shí)探測(cè)樣品表面電位直至表面電荷完全被中和。早期有文獻(xiàn)曾報(bào)道對(duì)樣品進(jìn)行加熱以釋放樣品表面累積的電荷。文獻(xiàn)采用非常小的電子束電流( < 1 nA) 進(jìn)行δ 的測(cè)量,以便盡可能減弱樣品的帶電程度。而文獻(xiàn)則通過(guò)改變測(cè)量點(diǎn)的位置,以測(cè)量所謂無(wú)帶電樣品的δ。

  上述測(cè)量方法,雖然有較高的測(cè)量精確度,但是存在額外的設(shè)備,如中和電子槍、表面電位探測(cè)器、電子束偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)以及小電流檢測(cè)系統(tǒng)等,使得這些測(cè)量裝置昂貴且測(cè)量方法復(fù)雜。對(duì)樣品進(jìn)行幾百度加熱后再進(jìn)行δ 的測(cè)量,也是不適合常規(guī)高分子材料的。

  在某些對(duì)精確度要求不太高的場(chǎng)合中,迫切需要快速、簡(jiǎn)單、較為準(zhǔn)確地測(cè)量出絕緣體的δ,鑒于此,本文建立了一個(gè)主要由單把脈沖電子槍和一個(gè)二次電子收集極構(gòu)成的測(cè)量裝置用于室溫下絕緣體δ 的測(cè)量;谪(fù)偏壓的收集極,本文提出了一種新的電荷中和方法,有效地中和了在測(cè)量過(guò)程中累積在樣品表面的電荷。在此基礎(chǔ)上,成功測(cè)量了尼龍樣品的δ 與一次電子能量的關(guān)系曲線,并與文獻(xiàn)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行了比較,結(jié)果表明本文的測(cè)量裝置和測(cè)量方法簡(jiǎn)單易行。

1、測(cè)量裝置

  圖1 所示的是測(cè)量絕緣體δ 的裝置示意圖。當(dāng)電子槍發(fā)出的一次電子(PE) ,穿過(guò)收集極上的圓孔,垂直轟擊到樣品表面時(shí),從樣品表面就有二次電子(SE) 的發(fā)射。一次電子的能量由直流高壓穩(wěn)壓電源(HVDC) 提供,其能量范圍為20 ~3000 eV。調(diào)節(jié)電子槍燈絲電流或調(diào)制極電位可以在0.5 ~2 μA范圍內(nèi)改變電子束束流。脈沖信號(hào)發(fā)生器加在電子槍的調(diào)制極上,分別可以觸發(fā)電子槍輸出單次脈沖電子束( 脈沖寬度約為450 μs) 、觸發(fā)電子槍輸出周期性脈沖電子束( 重復(fù)頻率約為100 Hz) 或者讓電子槍不輸出任何電子。測(cè)量時(shí),真空室內(nèi)的真空度約為(2 ~ 4) × 10 -4 Pa。被測(cè)材料為80 μm 厚的尼龍( Nylon) 樣品,樣品與下方的金屬樣品托(Holder) 緊密相貼并通過(guò)電阻R1接地。正負(fù)極性相反的40 V電池給收集極提供正偏壓或負(fù)偏壓,分別用于δ 的測(cè)量和樣品表面電荷的中和。

測(cè)量絕緣體δ 的裝置示意圖

圖1 測(cè)量絕緣體δ 的裝置示意圖

5、結(jié)論

  實(shí)驗(yàn)研究表明,在絕緣體δ 的測(cè)量過(guò)程中,樣品表面累積的正電荷造成δ 的下降。采用負(fù)偏壓收集極和單把脈沖電子槍的配合,不僅能有效地中和樣品表面累積的正電荷,而且能較為準(zhǔn)確地測(cè)量出δ。測(cè)量結(jié)果與文獻(xiàn)結(jié)果基本一致,表明本文提出的測(cè)量裝置和方法簡(jiǎn)單易行。

  在減小測(cè)量誤差方面,今后可以嘗試兩個(gè)方面。第一,通過(guò)測(cè)量二次電子能譜的分布,確定出中和后樣品表面的負(fù)電位,以減小一次電子能量的偏差。第二,優(yōu)化測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu),縮短裝置的響應(yīng)時(shí)間,以進(jìn)一步提高測(cè)量精度。